品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
输入电容:670pF@25V
工作温度:150℃
功率:40W
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007END3TL1
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENX
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:150℃
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:196mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENX
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:150℃
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:196mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:40W
类型:N沟道
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:1400pF@25V
功率:40W
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENX
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:150℃
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
功率:50W
导通电阻:196mΩ@10A,10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装方式:散装
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):R6011ENXC7G
输入电容:670pF@25V
工作温度:150℃
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
功率:53W
包装方式:管件
栅极电荷:32nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZ4C13
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
工作温度:150℃
功率:231W
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007END3TL1
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047ENZ4C13
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
工作温度:150℃
功率:481W
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
连续漏极电流:20A
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:1400pF@25V
功率:40W
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007END3TL1
输入电容:390pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
功率:78W
栅极电荷:20nC@10V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:305W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:散装
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004ENDTL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6004END3TL1
工作温度:150℃
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:980mΩ@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6007END3TL1
工作温度:150℃
功率:78W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:620mΩ@2.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076ENZ1C9
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@44.4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6024ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@11.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020ENZC17
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6011ENJTL
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:390mΩ@3.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: