品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4230pF@20V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SANKEN
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SKI04033
工作温度:150℃
功率:116W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:63.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3910pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@58.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@5.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6250pF@20V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@5.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8JB5TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2870pF@20V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G07BATTL1
工作温度:150℃
功率:101W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5550pF@20V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:7.1mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:100pF@10V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:85mΩ@5.2A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:8.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@20V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2750pF@20V
连续漏极电流:11A€35A
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G120MNTB
工作温度:150℃
功率:3W€25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:16.2mΩ@12A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:39mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:38mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: