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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
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品牌：RENESAS
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：100A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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类型：P沟道
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连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
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输入电容：9820pF@10V
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类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
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功率：1.8W€200W
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输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
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输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
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连续漏极电流：100A
类型：P沟道
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漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
栅极电荷：320nC@10V
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功率：1.8W€200W
漏源电压：40V
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
工作温度：175℃
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：100A
ECCN：EAR99
输入电容：15100pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：200nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9820pF@10V
连续漏极电流：83A
类型：P沟道
导通电阻：5.3mΩ@41.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
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连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2793GR(0)-E1-AZ
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V€45nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：15mΩ@3.5A，10V€26mΩ@3.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2793GR(0)-E1-AZ
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V€45nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：15mΩ@3.5A，10V€26mΩ@3.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2793GR(0)-E1-AZ
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V€45nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：15mΩ@3.5A，10V€26mΩ@3.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2793GR(0)-E1-AZ
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V€45nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：15mΩ@3.5A，10V€26mΩ@3.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP36P04KDG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@10V
连续漏极电流：36A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP100P04PLG-E1-AY
工作温度：175℃
功率：1.8W€200W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：15100pF@10V
连续漏极电流：100A
类型：P沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
