品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
功率:1.5W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.86nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130MNTB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:840pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:8.1mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2709AGR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@5V
输入电容:1.27nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:10.5mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E2-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2718AGR-E1-AT
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
输入电容:2.81nF@10V
连续漏极电流:13A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1E130GNTB
工作温度:150℃
功率:3W€22.2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@15V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:11.7mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":122404,"14+":48000}
规格型号(MPN):UPA2810T1L-E2-AY
漏源电压:30V
功率:1.5W
栅极电荷:40nC@10V
连续漏极电流:13A
输入电容:1.86nF@10V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
导通电阻:12mΩ@13A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3E130BNTB
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:150℃
输入电容:1900pF@15V
类型:N沟道
栅极电荷:36nC@10V
连续漏极电流:13A
导通电阻:6mΩ@13A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: