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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
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功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：113nC@10V
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连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
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规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
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输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
栅极电荷：113nC@10V
阈值电压：2.5V@1mA
输入电容：4200pF@10V
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功率：1.6W€45W
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导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
栅极电荷：113nC@10V
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导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
栅极电荷：113nC@10V
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
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功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
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