采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K2HZGTB
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@5V
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2个N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS060P05HZGTB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：32.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8M24GZETB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@10V€1700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：N和P沟道
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS060P05HZGTB
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@6A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4G060ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8K26GZ0TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：38mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
