采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2782GR-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@5V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2782GR-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.1nC@5V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@5.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
工作温度：150℃
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
漏源电压：60V
栅极电荷：115nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
工作温度：150℃
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
漏源电压：60V
栅极电荷：115nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
工作温度：150℃
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
漏源电压：60V
栅极电荷：115nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS3L110ATTB1
工作温度：150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6300pF@30V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：12.8mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
