品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
功率:3W€35W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
输入电容:4230pF@20V
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
栅极电荷:56.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
阈值电压:2.5V@1mA
漏源电压:40V
功率:1.1W
输入电容:2.06nF@20V
导通电阻:18.2mΩ@8A,10V
类型:1个P沟道
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
导通电阻:39mΩ@15A,10V
栅极电荷:19.3nC@10V
功率:25W
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G03BATTL1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@20V
功率:56W
工作温度:150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:38nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:19.1mΩ@35A,10V
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JB5TCR
导通电阻:41mΩ@5A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
漏源电压:40V
功率:1.1W
连续漏极电流:5A
输入电容:920pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
输入电容:2750pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
连续漏极电流:11A€35A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
连续漏极电流:16A
输入电容:6250pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G201ATTB1
输入电容:6890pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:130nC@10V
漏源电压:40V
功率:3W€40W
导通电阻:5.2mΩ@20A,10V
连续漏极电流:20A€78A
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G100GNTB
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
栅极电荷:8.4nC@10V
导通电阻:14.3mΩ@10A,10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:615pF@20V
阈值电压:2.5V@1mA
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB1
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:85mΩ@5.2A,10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
输入电容:100pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
功率:3W€35W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:N-Channel
连续漏极电流:30A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
功率:3W€35W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
输入电容:4230pF@20V
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:56.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
阈值电压:2.5V@1mA
漏源电压:40V
功率:1.1W
输入电容:2.06nF@20V
导通电阻:18.2mΩ@8A,10V
类型:1个P沟道
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
输入电容:2750pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
连续漏极电流:11A€35A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ7G080ATTCR
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:18.2mΩ@8A,10V
连续漏极电流:8A
阈值电压:2.5V@1mA
功率:1.1W
输入电容:2.06nF@20V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
栅极电荷:37nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
导通电阻:38mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:6A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8K26TR
输入电容:275pF@20V
导通电阻:38mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
漏源电压:40V
功率:1.1W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KB6TB1
输入电容:530pF@20V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:19.4mΩ@8.5A,10V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:8.5A
栅极电荷:10.6nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8K26TR
输入电容:275pF@20V
导通电阻:38mΩ@7A,10V
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
工作温度:150℃
漏源电压:40V
功率:1.1W
类型:2N沟道(双)
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G01BATTL1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1030pF@20V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
导通电阻:39mΩ@15A,10V
栅极电荷:19.3nC@10V
功率:25W
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:15A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G400GNTL
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
功率:26W
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@40A,10V
栅极电荷:19nC@10V
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:1410pF@20V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G150MNTB
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:N沟道
功率:3W€25W
导通电阻:10.6mΩ@15A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
连续漏极电流:15A
输入电容:930pF@20V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3G160ATTB1
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:6.2mΩ@16A,10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:120nC@10V
连续漏极电流:16A
输入电容:6250pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G110ATTB
输入电容:2750pF@20V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:P沟道
导通电阻:12.4mΩ@11A,10V
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
连续漏极电流:11A€35A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K26GZ0TB1
导通电阻:38mΩ@6A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.5V@1mA
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1G300GNTB
功率:3W€35W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
输入电容:4230pF@20V
类型:N沟道
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:2.5mΩ@30A,10V
连续漏极电流:30A
栅极电荷:56.8nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3G03BATTL1
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@20V
功率:56W
工作温度:150℃
漏源电压:40V
栅极电荷:38nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:19.1mΩ@35A,10V
连续漏极电流:35A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JB5TCR
导通电阻:41mΩ@5A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:5A
输入电容:920pF@20V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:2.5V@1mA
功率:1.1W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8K25GZ0TB
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:85mΩ@5.2A,10V
工作温度:150℃
漏源电压:40V
连续漏极电流:5.2A
类型:2N沟道(双)
功率:2W
输入电容:100pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4G060ATTCR
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
漏源电压:40V
输入电容:880pF@20V
栅极电荷:17.2nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.5V@1mA
导通电阻:40mΩ@6A,10V
连续漏极电流:6A
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存: