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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3S075CNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：52W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：336mΩ@3.8A，10V
漏源电压：190V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E075ATTCR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：7.5A
类型：P沟道
导通电阻：21.7mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
