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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8026(TE12L，Q，M
工作温度：150℃
功率：1.6W€45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4200pF@10V
连续漏极电流：45A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@23A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW200N03TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ045N03HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N-Channel
导通电阻：6mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2731T146
工作温度：150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@100mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E160ADTB
工作温度：150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：16A
类型：N-Channel
导通电阻：4.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP030N03T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K131TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：10.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：27.6mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：16.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E130GNTB
工作温度：150℃
功率：22.2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：N-Channel
导通电阻：11.7mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：18A€39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E160ADTB
工作温度：150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：16A
类型：N-Channel
导通电阻：4.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E321GNTB1
工作温度：150℃
功率：3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A€80A
类型：N-Channel
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：16.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：16.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHK005N03FRAT146
工作温度：150℃
功率：200mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：500mA
类型：N-Channel
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E150GNTB
工作温度：150℃
功率：3W€22.9W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N-Channel
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E130MNTB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：8.1mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E150GNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N-Channel
导通电阻：6.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：18A€39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB1
工作温度：150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：18A€39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E321GNTB1
工作温度：150℃
功率：3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：32A€80A
类型：N-Channel
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP030N03T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：6.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N-Channel
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ1E100XNTR
工作温度：150℃
功率：550mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
类型：N-Channel
导通电阻：10.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSR025N03HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
栅极电荷：4.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：2.5A
类型：N-Channel
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
