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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6G050ATTCR
功率：950mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：5A
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阈值电压：2.5V@1mA
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输入电容：2.06nF@20V
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类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
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栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.1nF@20V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ7G080ATTCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
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功率：950mW
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导通电阻：40mΩ@5A，10V
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功率：1.1W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.06nF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：18.2mΩ@8A，10V
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