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    阈值电压: 2.5V@1mA
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    类型: P沟道
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:930pF@15V

    连续漏极电流:18A

    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15W

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    类型:P沟道

    导通电阻:23mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订500个装
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    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

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    功率:15W

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

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    功率:3W€40W

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    ECCN:EAR99

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    类型:P沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

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    功率:15W

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    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订20个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3E075ATTB 起订20个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3E075ATTB

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    类型:P沟道

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

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    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

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    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

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    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSH070P05GZETB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:47.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSH070P05GZETB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:47.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E055ATTCR 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E055ATTCR 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR

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    功率:1.5W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSH070P05GZETB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

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    栅极电荷:47.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E055ATTCR 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ7E055ATTCR 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ7E055ATTCR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:24.5mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSH070P05GZETB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:47.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订500个装
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    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSH070P05GZETB 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSH070P05GZETB

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:47.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4100pF@10V

    连续漏极电流:7A

    类型:P沟道

    导通电阻:27mΩ@7A,10V

    漏源电压:45V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RV4E031RPHZGTCR1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RV4E031RPHZGTCR1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:4.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RS1G201ATTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RS1G201ATTB1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6890pF@20V

    连续漏极电流:20A€78A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP25H18DLFDE-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP25H18DLFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:81pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:P沟道

    导通电阻:14Ω@200mA,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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