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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9.3mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E120ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G120MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€25W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：16.2mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
