采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0332DPB-01#J0
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3G03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@20V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：19.1mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0332DPB-01#J0
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L03BATTL1
工作温度：150℃
功率：56W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1930pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0332DPB-01#J0
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2180pF@10V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
