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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J214FE(TE85L，F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：7.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J332R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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功率：1W
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栅极电荷：8.2nC@4.5V
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输入电容：560pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
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连续漏极电流：3.6A
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类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：3.6A
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连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
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栅极电荷：7.9nC@4.5V
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连续漏极电流：3.6A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J372R，LF
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功率：1W
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3J372R，LF
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规格型号(MPN)：SSM3J372R，LF
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功率：1W
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栅极电荷：8.2nC@4.5V
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导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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栅极电荷：8.2nC@4.5V
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连续漏极电流：6A
类型：P沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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类型：P沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
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导通电阻：42mΩ@5A，10V
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