品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
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漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P69NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P69NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P69NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
输入电容:480pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.2V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
输入电容:480pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.2V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
工作温度:150℃
输入电容:480pF@10V
类型:2个P沟道(双)
阈值电压:1.2V@1mA
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
输入电容:720pF@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
连续漏极电流:5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6P49NU,LF
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:45mΩ@3.5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8JA1TCR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:38mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: