采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6380
工作温度：-55℃~+150℃
功率：26W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3028LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：680pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N10D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：90mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N06L
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LW-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT15N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3480C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：60pF@15V
导通电阻：16mΩ@10V，6.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF530
工作温度：-55℃~+175℃
功率：31W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@25V
导通电阻：80mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3060LWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
输入电容：395pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
