采购热线 400-661-9010
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138PW
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES138KR
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138PW
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138P
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138NH6327-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138L
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138-7-F-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138LT1G-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-TP-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS138LT1G-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：22pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-TP-ES
功率：300mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：650pC
输入电容：25pF
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.2pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@5V，50mA
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：50V
工作温度：-65℃~+150℃
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
