首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订24个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订24个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1208 起订600个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1208 起订600个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1208

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1.275nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:236pF@6V

    导通电阻:28mΩ@10V,5A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 LP3218DT1G 起订42个装
    LRC Mosfet场效应管 LP3218DT1G 起订42个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):LP3218DT1G

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:18mΩ@4.5V,7A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1208 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1208 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1208

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1.275nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:236pF@6V

    导通电阻:28mΩ@10V,5A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G06P01E 起订600个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G06P01E 起订600个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G06P01E

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1.087nF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:28mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1208 起订46个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1208 起订46个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1208

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1.275nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:236pF@6V

    导通电阻:28mΩ@10V,5A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI2333-ES 起订450个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI2333-ES 起订450个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333-ES

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:29mΩ@4.5V,3.8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI2333-ES 起订94个装
    SUPERDIODES Mosfet场效应管 SI2333-ES 起订94个装

    品牌:SUPERDIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333-ES

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:3.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:29mΩ@4.5V,3.8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G1208 起订37个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G1208 起订37个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G1208

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1.275nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:236pF@6V

    导通电阻:28mΩ@10V,5A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G06P01E 起订50个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G06P01E 起订50个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G06P01E

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:14nC@4.5V

    输入电容:1.087nF@6V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:28mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订数552000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1045U-7 起订数552000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:15.8nC@4.5V

    输入电容:1.357nF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:31mΩ@4.5V,4A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1025UFDB-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1025UFDB-7

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:8.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5V,5.2A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDME905PT 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME905PT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.315nF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:22mΩ@4.5V,8A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65UPEZ 起订数1000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB65UPEZ 起订数1000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:317mW€8.33W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    输入电容:634pF@6V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:72mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧