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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
输入电容：335pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：90mΩ@4.5V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
输入电容：335pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个P沟道
栅极电荷：3.5nC@4.5V
导通电阻：90mΩ@4.5V，1.5A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJD4116NT1G
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：30V
类型：2个N沟道
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：427pF@15V
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.5A
功率：710mW
栅极电荷：6.5nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
