品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@10V,2.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2301
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@10V,2.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@10V,2.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@10V,2.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301S
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:2.3A
工作温度:-55℃~+150℃
栅极电荷:17.7nC@10V
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
输入电容:637pF@30V
导通电阻:125mΩ@10V,2.3A
类型:1个P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301S
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301S
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2301
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2301
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301S
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301S
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:born
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2301S
功率:1W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:210mΩ@2.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2301
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HL2301A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
反向传输电容:55pF@10V
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:海德
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HD2301
功率:350mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:110mΩ@4.5V,3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:17.7nC@10V
输入电容:637pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:125mΩ@10V,2.3A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.04W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:8nC@10V
输入电容:290pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: