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    阈值电压: 1V@250μA
    连续漏极电流: 450mA
    当前匹配商品:7
    商品信息
    参数
    库存/批次
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UDJ-7 起订数60000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UDJ-7 起订数60000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:500pC@4.5V

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:450mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:990mΩ@4.5V,100mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CMLDM7484 TR PBFREE 起订12000个装
    Central Mosfet场效应管 CMLDM7484 TR PBFREE 起订12000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMLDM7484 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:790pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:450mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:190mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:450mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:190mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:450mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:190mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    输入电容:45pF@10V

    连续漏极电流:450mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    输入电容:45pF@10V

    导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V

    类型:1个P沟道

    功率:190mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1013CX-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~+150℃

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    输入电容:45pF@10V

    导通电阻:760mΩ@400mA,4.5V

    类型:1个P沟道

    功率:190mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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