采购热线 400-661-9010
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS260DW1T1G
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.44Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024NTRPBF-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR024NTRPBF-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE6020AK-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE6020AK-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024NTRPBF-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：德昌
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002T
功率：150mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：born
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：225mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCE6020AK-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR024NTRPBF-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024NTRPBF-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@4.5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR024NTRPBF-ES
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：340mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB16NF06LT4
工作温度：-55℃~+175℃
功率：45W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：1个N沟道
导通电阻：90mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：500pC@4.5V
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：470mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：450pC@4.5V
输入电容：32pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：440mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：28.5pF@30V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
