品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTR2101PT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1173pF@4V
连续漏极电流:3.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:30nC@8V
输入电容:960pF@4V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:35mΩ@4.5V,4.4A
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:30nC@8V
输入电容:960pF@4V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:35mΩ@4.5V,4.4A
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:85nC@4.5V
连续漏极电流:13.7A€20A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@4.5V,14A
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:85nC@4.5V
连续漏极电流:13.7A€20A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@4.5V,14A
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:85nC@4.5V
连续漏极电流:13.7A€20A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@4.5V,14A
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€6.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:85nC@4.5V
连续漏极电流:13.7A€20A
类型:1个P沟道
导通电阻:9mΩ@4.5V,14A
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:5.8A
栅极电荷:30nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
功率:960mW€1.7W
导通电阻:35mΩ@4.5V,4.4A
漏源电压:8V
类型:1个P沟道
输入电容:960pF@4V
包装清单:商品主体 * 1
库存: