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    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP 起订数9000个
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP 起订数9000个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V€12nC@2.5V

    输入电容:800pF@8V

    连续漏极电流:5A€4A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:125pF@8V

    导通电阻:38mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD1155LT1G 起订数6000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD1155LT1G 起订数6000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:1.3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UV-7 起订31个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UV-7 起订31个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2710UV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:460mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V€42pF@16V

    连续漏极电流:1.1A€800mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UV-7 起订32个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UV-7 起订32个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2710UV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:460mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V€42pF@16V

    连续漏极电流:1.1A€800mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UV-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2710UV-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2710UV-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:460mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V

    输入电容:49pF@16V€42pF@16V

    连续漏极电流:1.1A€800mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD1155LT1G 起订数30000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTJD1155LT1G 起订数30000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:400mW

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:1.3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP 起订数63000个
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP 起订数63000个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V€12nC@2.5V

    输入电容:800pF@8V

    连续漏极电流:5A€4A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:125pF@8V

    导通电阻:38mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016CX-T1-GE3 起订数33000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016CX-T1-GE3 起订数33000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:220mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    输入电容:43pF@10V

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVTQ-7 起订数129000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVTQ-7 起订数129000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:800mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V€5.7nC@4.5V

    输入电容:705pF@10V€530pF@10V

    连续漏极电流:3.7A€2.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:74mΩ@3A,4.5V€35mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订16个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订16个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    功率:820mW

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    阈值电压:1V@250μA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Central Mosfet场效应管 CMLDM7484 TR PBFREE 起订12000个装
    Central Mosfet场效应管 CMLDM7484 TR PBFREE 起订12000个装

    品牌:Central

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CMLDM7484 TR PBFREE

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:790pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:450mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTZD3155CT2G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2.5nC@4.5V

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004VK-7 起订数3000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004VK-7 起订数3000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:670mA€530mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:20pF@16V

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004VK-7 起订数200个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004VK-7 起订数200个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:670mA€530mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:20pF@16V

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7309TRPBF 起订数500个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7309TRPBF 起订数500个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    输入电容:520pF@15V

    连续漏极电流:4A€3A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:50mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP 起订数15000个
    MCC Mosfet场效应管 SIL2308-TP 起订数15000个

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:11nC@4.5V€12nC@2.5V

    输入电容:800pF@8V

    连续漏极电流:5A€4A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:125pF@8V

    导通电阻:38mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016X-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016X-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:750pC@4.5V

    连续漏极电流:485mA€370mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016X-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016X-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1016X-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:750pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:485mA€370mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3 起订1200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3 起订1200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA517DJ-T1-GE3

    功率:6.5W

    阈值电压:1V@250μA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:29mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004DWK-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:250mW

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:150pF@16V€175pF@16V

    连续漏极电流:540mA€430mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:20pF@16V

    导通电阻:400mΩ@4.5V,540mA€700mΩ@4.5V,430mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA517DJ-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:6.5W

    阈值电压:1V@250μA

    连续漏极电流:4.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:29mΩ@4.5V,5A

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2053UFDBQ-7 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:820mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V

    输入电容:369pF@10V€440pF@10V

    连续漏极电流:3.1A€4.6A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004VK-7 起订数1500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2004VK-7 起订数1500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:450mW

    阈值电压:1V@250μA

    输入电容:150pF@16V

    连续漏极电流:670mA€530mA

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    反向传输电容:20pF@16V

    导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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