品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V€12nC@2.5V
输入电容:800pF@8V
连续漏极电流:5A€4A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:125pF@8V
导通电阻:38mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流:1.1A€800mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流:1.1A€800mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2710UV-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:460mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V€700pC@4.5V
输入电容:49pF@16V€42pF@16V
连续漏极电流:1.1A€800mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:400mΩ@600mA,4.5V€700mΩ@430mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:1.3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:175mΩ@1.2A,4.5V
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V€12nC@2.5V
输入电容:800pF@8V
连续漏极电流:5A€4A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:125pF@8V
导通电阻:38mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2nC@4.5V
输入电容:43pF@10V
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V€5.7nC@4.5V
输入电容:705pF@10V€530pF@10V
连续漏极电流:3.7A€2.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:74mΩ@3A,4.5V€35mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
功率:820mW
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
阈值电压:1V@250μA
类型:1个N沟道+1个P沟道
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Central
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CMLDM7484 TR PBFREE
工作温度:-65℃~+150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:790pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:450mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:460mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2.5nC@4.5V
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.4W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:25nC@4.5V
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4A€3A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:50mΩ@2.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:11nC@4.5V€12nC@2.5V
输入电容:800pF@8V
连续漏极电流:5A€4A
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:125pF@8V
导通电阻:38mΩ@4.5V,4.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:750pC@4.5V
连续漏极电流:485mA€370mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1016X-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:750pC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:485mA€370mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:700mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA517DJ-T1-GE3
功率:6.5W
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:29mΩ@4.5V,5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V€175pF@16V
连续漏极电流:540mA€430mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
导通电阻:400mΩ@4.5V,540mA€700mΩ@4.5V,430mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:6.5W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:29mΩ@4.5V,5A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMC2053UFDBQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:820mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:12.7nC@8V€7.7nC@10V
输入电容:369pF@10V€440pF@10V
连续漏极电流:3.1A€4.6A
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:35mΩ@5A,4.5V€75mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:450mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:670mA€530mA
类型:1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容:20pF@16V
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: