品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN55D0UT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:160mA
类型:1个N沟道
导通电阻:4Ω@4V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-65℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:2个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:1V@250μA
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@4.5V,540mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: