采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4002-3/TR
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM4002-3/TR
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4.5V，350mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
功率：250mW
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：500mA
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：49pF@16V
栅极电荷：700pC@4.5V
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道
导通电阻：900mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：750pC@4.5V
连续漏极电流：485mA€370mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004WK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：400mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1016X-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：750pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：485mA€370mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：700mΩ@600mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004WK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：400mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V€175pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：400mΩ@4.5V，540mA€700mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZD3155CT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：N和P沟道
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：430mA
类型：2个P沟道
导通电阻：900mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2900UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：49pF@16V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：700mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004WK-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：400mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：150pF@16V
功率：250mW
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：2.5nC@4.5V
导通电阻：550mΩ@540mA，4.5V
阈值电压：1V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：540mA€430mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
