采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：175mΩ@1.2A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4nC@8V
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：790mΩ@1.8V，250mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@4.5V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4nC@8V
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：790mΩ@1.8V，250mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4nC@8V
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道
导通电阻：790mΩ@1.8V，250mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：850pC@4.5V
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：850pC@4.5V
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：850pC@4.5V
输入电容：70.13pF@15V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：350mΩ@4.5V，200mA
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
