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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
输入电容：1.243nF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：860mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11.9nC@4.5V
输入电容：1.243nF@4V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：47mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：810mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：15.4nC@4.5V
输入电容：1.61nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLJS4114NT1G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：650pF@15V
栅极电荷：13nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.6A
导通电阻：35mΩ@2A，4.5V
ECCN：EAR99
功率：700mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
