品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:620pC@4.5V
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:1.03A
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@4.5V,430mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
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功率:530mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:620pC@4.5V
输入电容:59.76pF@16V
连续漏极电流:1.03A
类型:2个P沟道
导通电阻:750mΩ@4.5V,430mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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类型:2个P沟道
阈值电压:1V@250μA
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栅极电荷:620pC@4.5V
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功率:530mW
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类型:2个P沟道
阈值电压:1V@250μA
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导通电阻:750mΩ@4.5V,430mA
输入电容:59.76pF@16V
包装清单:商品主体 * 1
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