品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:19nC@4.5V
输入电容:1.02nF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:25nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1225pF@6V
连续漏极电流:7.1A
类型:P沟道
导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:860mW€1.6W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:30nC@8V
输入电容:960pF@4V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:35mΩ@4.5V,4.4A
漏源电压:8V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.6W€860mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:10nC@4.5V
输入电容:405pF@10V
连续漏极电流:2.3A€3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:19nC@4.5V
连续漏极电流:3.7A
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:1.02nF@10V
导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
功率:750mW
类型:1个P沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:220mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:2nC@4.5V
输入电容:43pF@10V
类型:1个N沟道+1个P沟道
导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@6V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:18nC@4.5V
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V
类型:P沟道
漏源电压:12V
阈值电压:1V@250µA
输入电容:1100pF@6V
功率:750mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
栅极电荷:168nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:5.875nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:1.5W€2.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
栅极电荷:168nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:5.875nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:1.5W€2.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:735pF@10V
连续漏极电流:4.5A€5.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:30mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4nC@8V
输入电容:110pF@10V
连续漏极电流:1.3A
类型:2个P沟道
导通电阻:790mΩ@1.8V,250mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ@6.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: