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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    输入电容:1.02nF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数50个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:19nC@4.5V

    输入电容:1.02nF@10V

    连续漏极电流:3.7A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订数9000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订数9000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 Si2301CDS-T1-E3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:860mW€1.6W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@4.5V,2.8A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2305CDS-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:30nC@8V

    输入电容:960pF@4V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:35mΩ@4.5V,4.4A

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-BE3 起订数12000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2301CDS-T1-BE3 起订数12000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W€860mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:10nC@4.5V

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.3A€3.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:112mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323DS-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:19nC@4.5V

    连续漏极电流:3.7A

    工作温度:-55℃~+150℃

    输入电容:1.02nF@10V

    导通电阻:39mΩ@4.5V,4.7A

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    功率:750mW

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016CX-T1-GE3 起订数33000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1016CX-T1-GE3 起订数33000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:220mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:2nC@4.5V

    输入电容:43pF@10V

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:396mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:750mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@6V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-GE3 起订数6000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333DS-T1-GE3 起订数6000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333DS-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:18nC@4.5V

    连续漏极电流:4.1A

    导通电阻:32mΩ@5.3A,4.5V

    类型:P沟道

    漏源电压:12V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:1100pF@6V

    功率:750mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    栅极电荷:168nC@8V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    输入电容:5.875nF@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    功率:1.5W€2.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    栅极电荷:168nC@8V

    工作温度:-55℃~+150℃

    阈值电压:1V@250μA

    漏源电压:20V

    输入电容:5.875nF@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    功率:1.5W€2.2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6423ADQ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W€2.2W

    阈值电压:1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:168nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.875nF@10V

    连续漏极电流:12.5A€10.3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订数3000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2374DS-T1-GE3 起订数3000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:735pF@10V

    连续漏极电流:4.5A€5.9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1967DH-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:4nC@8V

    输入电容:110pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:790mΩ@1.8V,250mA

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI6415DQ-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:19mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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