采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5V，540mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5V，540mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V€175pF@16V
连续漏极电流：540mA€430mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：20pF@16V
导通电阻：400mΩ@4.5V，540mA€700mΩ@4.5V，430mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：540mA
类型：2个N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5V，540mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5V，540mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：150pF@16V
连续漏极电流：630mA
类型：1个N沟道
导通电阻：550mΩ@4.5V，540mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN5L06KQ-7
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@5V，50mA
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：50V
工作温度：-65℃~+150℃
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
