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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8123，L1Q
功率：84W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：14.9mΩ@6V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8123，L1Q
功率：84W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：14.9mΩ@6V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8123，L1Q
功率：84W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：14.9mΩ@6V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：250mΩ@10V，400mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：250mΩ@10V，400mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
导通电阻：250mΩ@10V，400mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8123，L1Q
功率：84W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：14.9mΩ@6V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8123，L1Q
功率：84W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：14.9mΩ@6V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPCA8123，L1Q
功率：84W
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：50A
类型：1个P沟道
导通电阻：14.9mΩ@6V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
漏源电压：30V
导通电阻：250mΩ@10V，400mA
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：700mA
类型：1个P沟道
输入电容：160pF@10V
工作温度：-65℃~+150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
栅极电荷：156nC@10V
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：60A
功率：100W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.76nF@10V
栅极电荷：156nC@10V
阈值电压：3V@1mA
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
连续漏极电流：60A
功率：100W
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：80A
输入电容：7.77nF@10V
漏源电压：40V
功率：100W
栅极电荷：158nC@10V
阈值电压：3V@1mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.2mΩ@40A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
