品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:500mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
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销售单位:个
功率:500mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
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阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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功率:500mW
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
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栅极电荷:6nC@10V
功率:500mW
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
阈值电压:2V@1mA
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
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栅极电荷:6nC@10V
功率:500mW
类型:1个N沟道
导通电阻:300mΩ@1A,10V
输入电容:150pF@10V
连续漏极电流:2A
漏源电压:60V
阈值电压:2V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
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