品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@1mA
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:170mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
连续漏极电流:170mA
输入电容:60pF@25V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
导通电阻:6Ω@10V,170mA
阈值电压:2V@1mA
漏源电压:100V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: