采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J351R，LF
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：15.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：134mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF010P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J356R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：8.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C020TPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.9nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP89，115
工作温度：150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：375mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@340mA，10V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR020P02HZGTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ040P02TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：12.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U27TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U27TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C020TPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.9nC@2.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J168F，LXHF
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：82pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：1.55Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5C025TPTL
工作温度：150℃
功率：700mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：95mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR030P02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTR030P02TL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：9.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：840pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K2615R，LF
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS5U27TR
工作温度：150℃
功率：1.25W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF015P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：560pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Comchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-HF
工作温度：150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTL020P02FRATR
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：4.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：135mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN123
工作温度：150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN123
工作温度：150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：73pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTF010P02TL
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ035P02HZGTR
工作温度：150℃
功率：950mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
