品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.4nC@8V
输入电容:2.588nF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4.5V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS120N02LZJ
功率:2.8W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.9mΩ@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS120N02LZJ
功率:2.8W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.9mΩ@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS120N02LZJ
功率:2.8W
阈值电压:800mV@250μA
连续漏极电流:8A
类型:1个N沟道
导通电阻:13.9mΩ@4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1019UVT-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.4nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.588nF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4.5V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.6nC@8V
输入电容:2.426nF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250N02CX RFG
功率:1.56W
阈值电压:800mV@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:1个N沟道
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.4nC@8V
输入电容:2.588nF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4.5V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:700mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:7nC@10V
输入电容:215pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:50mΩ@10V,3.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.73W
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.4nC@8V
输入电容:2.588nF@10V
连续漏极电流:10.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4.5V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:680mW
阈值电压:800mV@250μA
栅极电荷:50.6nC@8V
输入电容:2.426nF@10V
连续漏极电流:9.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:10mΩ@4V,9.7A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM250N02CX RFG
连续漏极电流:5.8A
阈值电压:800mV@250μA
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
栅极电荷:7.7nC@4.5V
功率:1.56W
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
输入电容:535pF@10V
导通电阻:25mΩ@4A,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: