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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS120N02LZJ
功率：2.8W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.9mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS120N02LZJ
功率：2.8W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.9mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS120N02LZJ
功率：2.8W
阈值电压：800mV@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：13.9mΩ@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1019UVT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.6nC@8V
输入电容：2.426nF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
功率：1.56W
阈值电压：800mV@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@10V
连续漏极电流：5.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：700mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：7nC@10V
输入电容：215pF@15V
连续漏极电流：2.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：50mΩ@10V，3.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.73W
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.4nC@8V
输入电容：2.588nF@10V
连续漏极电流：10.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：680mW
阈值电压：800mV@250μA
栅极电荷：50.6nC@8V
输入电容：2.426nF@10V
连续漏极电流：9.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4V，9.7A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM250N02CX RFG
连续漏极电流：5.8A
阈值电压：800mV@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
栅极电荷：7.7nC@4.5V
功率：1.56W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
输入电容：535pF@10V
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
