品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4003SCT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:2V
栅极电荷:75.6nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:205A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LV-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:370mW
阈值电压:2V
栅极电荷:870pC
包装方式:Reel
连续漏极电流:310mA
类型:MOSFET
导通电阻:3Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT4003SCT
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功率:156W
阈值电压:2V
栅极电荷:75.6nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:205A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:40V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN65D8LV-13
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功率:370mW
阈值电压:2V
栅极电荷:870pC
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连续漏极电流:310mA
类型:MOSFET
导通电阻:3Ω
漏源电压:60V
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功率:370mW
阈值电压:2V
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类型:MOSFET
导通电阻:3Ω
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):DMT4003SCT
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阈值电压:2V
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类型:MOSFET
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漏源电压:40V
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导通电阻:3mΩ
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栅极电荷:870pC
导通电阻:3Ω
阈值电压:2V
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规格型号(MPN):DMT4003SCT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:156W
阈值电压:2V
栅极电荷:75.6nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:205A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:40V
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栅极电荷:75.6nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:205A
类型:MOSFET
导通电阻:3mΩ
漏源电压:40V
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