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    行业应用: 工业
    当前匹配商品:6
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    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10M 起订7个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10M 起订7个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT080N10M

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3.65nF@50V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP048N04N G 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP048N04N G 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP048N04N G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:41nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:70A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP048N04N G 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP048N04N G 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP048N04N G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:41nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:70A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP048N04N G 起订20个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP048N04N G 起订20个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP048N04N G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:79W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:41nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:70A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10M 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT080N10M 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT080N10M

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:100W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3.65nF@50V

    连续漏极电流:70A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:22pF@50V

    导通电阻:6mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N08N3 G 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP100N08N3 G 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):IPP100N08N3 G

    导通电阻:8.4mΩ

    连续漏极电流:70A

    漏源电压:80V

    阈值电压:2V

    包装方式:Tube

    栅极电荷:35nC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:100W

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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