品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1995}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP20N60CFDXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@13.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030MNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2180pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@15A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH76N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:415W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4525pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@14A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNXC7
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":260,"22+":100}
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW20N60CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:20.7A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@13.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP6N120P
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2830pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNXC7
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH76N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL082N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3330pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA7N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.44Ω@3.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP7N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.44Ω@3.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6076MNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:740W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7000pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@38A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH76N25T
工作温度:-55℃~150℃
功率:460W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:92nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:76A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@500mA,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FMM22-05PF
工作温度:-55℃~150℃
功率:132W
阈值电压:5V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2630pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:270mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNXC7
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM60NC1R5CH C5G
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:242pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT13F120B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4765pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@7A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6035KNZ1C9
工作温度:-55℃~150℃
功率:379W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@18.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF380N65FL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@100V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF380N65FL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:43nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1680pF@100V
连续漏极电流:10.2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT18M100B
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4845pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:700mΩ@9A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT34F60B
工作温度:-55℃~150℃
功率:624W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6640pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFA7N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:200W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1890pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.44Ω@3.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: