首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    阈值电压
    类型
    漏源电压
    包装方式
    行业应用
    连续漏极电流
    阈值电压: 5V@1mA
    类型: N沟道
    漏源电压: 1200V
    当前匹配商品:50+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1230pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT7F120S 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT7F120S 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT7F120S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2565pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:388W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:94nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@30A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:388W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:94nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@30A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP6N120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2830pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:388W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:94nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@30A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1230pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP6N120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2830pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订100个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订100个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:388W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:94nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@30A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1230pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP6N120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2830pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:388W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:94nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@30A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:388W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:94nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@30A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT13F120B 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT13F120B 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT13F120B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4765pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@7A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH6N120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:2830pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT13F120B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT13F120B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT13F120B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4765pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@7A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT7M120B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT7M120B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT7M120B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2565pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH6N120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:2830pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT1204R7BFLLG 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT1204R7BFLLG 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT1204R7BFLLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:135W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:715pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7Ω@1.75A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 SCTW40N120G2VAG 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTW40N120G2VAG

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:290W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:63nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1230pF@800V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:105mΩ@20A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT7M120B 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT7M120B 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT7M120B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2565pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT7F120S 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT7F120S 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT7F120S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:335W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2565pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@3A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT1201R2BFLLG 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT1201R2BFLLG 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2540pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@6A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT14M120B 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT14M120B 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT14M120B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:625W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:145nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4765pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@7A,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4

    工作温度:-55℃~200℃

    功率:388W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:94nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1969pF@800V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@30A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP6N120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2830pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH6N120P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH6N120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:2830pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFP6N120P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFP6N120P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:92nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2830pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@500mA,10V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT1201R2BFLLG 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT1201R2BFLLG 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT1201R2BFLLG

    栅极电荷:100nC@10V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:1200V

    输入电容:2540pF@25V

    导通电阻:1.25Ω@6A,10V

    包装方式:管件

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 SCTWA60N120G2-4 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCTWA60N120G2-4

    工作温度:-55℃~200℃

    类型:N沟道

    输入电容:1969pF@800V

    漏源电压:1200V

    导通电阻:52mΩ@30A,18V

    功率:388W

    包装方式:管件

    连续漏极电流:60A

    栅极电荷:94nC@18V

    阈值电压:5V@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧