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    品牌
    ROHM
    阈值电压
    1.5V@1mA
    类型
    1个N沟道
    功率
    700mW
    漏源电压
    45V
    栅极电荷
    4.1nC@4.5V
    阈值电压： 1.5V@1mA
    类型： 1个N沟道
    功率： 700mW
    漏源电压： 45V
    栅极电荷： 4.1nC@4.5V
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    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订数500个
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订数500个

    品牌：ROHM

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    功率：700mW

    阈值电压：1.5V@1mA

    栅极电荷：4.1nC@4.5V

    输入电容：200pF@10V

    连续漏极电流：2A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：180mΩ@2A，4.V

    漏源电压：45V

    包装清单：商品主体 * 1

    库存：

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    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订数100个
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5H020TNTL 起订数100个

    品牌：ROHM

    分类：Mosfet场效应管

    数据手册

    销售单位：个

    功率：700mW

    阈值电压：1.5V@1mA

    栅极电荷：4.1nC@4.5V

    输入电容：200pF@10V

    连续漏极电流：2A

    类型：1个N沟道

    导通电阻：180mΩ@2A，4.V

    漏源电压：45V

    包装清单：商品主体 * 1

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