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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR0202PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：70pF@5V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@200mA，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR1P02T1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：400mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.5nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：165pF@5V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@1.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSP21357
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.83nF@15V
连续漏极电流：16A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W€39W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：144nC@10V
输入电容：4.15nF@20V
连续漏极电流：46A
类型：1个P沟道
导通电阻：10mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS443DN-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
输入电容：4.37nF@20V
导通电阻：11.7mΩ@10V，15A
阈值电压：2.3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：35A
功率：3.7W€52W
栅极电荷：135nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
