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    阈值电压: 2.3V@250μA
    工作温度: -55℃~+150℃
    类型: 1个P沟道
    当前匹配商品:5
    商品信息
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    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G 起订数24000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTR0202PLT1G 起订数24000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR0202PLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:70pF@5V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:800mΩ@200mA,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G 起订数84000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTR1P02T1G 起订数84000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR1P02T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:2.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:165pF@5V

    连续漏极电流:1A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AOSP21357 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOSP21357

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.83nF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7463ADP-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W€39W

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:144nC@10V

    输入电容:4.15nF@20V

    连续漏极电流:46A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:10mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS443DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:4.37nF@20V

    导通电阻:11.7mΩ@10V,15A

    阈值电压:2.3V@250μA

    工作温度:-55℃~+150℃

    连续漏极电流:35A

    功率:3.7W€52W

    栅极电荷:135nC@10V

    ECCN:EAR99

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

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