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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR402EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：165nC@10V
输入电容：9.1nF@20V
连续漏极电流：291A€65.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR402EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：165nC@10V
输入电容：9.1nF@20V
连续漏极电流：291A€65.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR402EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：165nC@10V
输入电容：9.1nF@20V
连续漏极电流：291A€65.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR402EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：165nC@10V
输入电容：9.1nF@20V
连续漏极电流：291A€65.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG30N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：33A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR402EP-T1-RE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：165nC@10V
输入电容：9.1nF@20V
连续漏极电流：291A€65.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：0.88mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF540N
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.55nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，12A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR7833TRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：50nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.01nF@15V
连续漏极电流：140A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
