采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5007ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：散装
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ANJTL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5207ANDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6006ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX130N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2180pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@6.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20A60W5，S5VX
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ANJTL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5007ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：散装
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5007ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：散装
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ANJTL
工作温度：150℃
功率：100W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2040pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6015ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@7.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5207ANDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004CNDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20V60W5，LVQ
工作温度：150℃
功率：156W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@300V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
