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    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT650N15K 起订5个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT650N15K 起订5个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT650N15K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:600pF@75V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:10.8pF@75V

    导通电阻:59mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP150N15X4 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP150N15X4 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP150N15X4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:480W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:105nC@10V

    输入电容:5.5nF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6 起订数1000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:150nC@10V

    输入电容:9.13nF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@10V,55A

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT650N15K 起订500个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT650N15K 起订500个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT650N15K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:600pF@75V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:10.8pF@75V

    导通电阻:59mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT650N15K 起订30个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT650N15K 起订30个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT650N15K

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:600pF@75V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:10.8pF@75V

    导通电阻:59mΩ

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订130个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订130个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":222}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP86N20X4 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP86N20X4 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP86N20X4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:2.25nF@25V

    连续漏极电流:86A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@43A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP150N15X4 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP150N15X4 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP150N15X4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:480W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:105nC@10V

    输入电容:5.5nF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP150N15X4 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP150N15X4 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP150N15X4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:480W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:105nC@10V

    输入电容:5.5nF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTP150N15X4 起订50个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP150N15X4 起订50个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP150N15X4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:480W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:105nC@10V

    输入电容:5.5nF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2mΩ@75A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6 起订数1000个
    ST Mosfet场效应管 STP110N8F6 起订数1000个

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP110N8F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9130pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@55A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订113个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订113个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订130个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订130个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP60N20X4 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP60N20X4 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP60N20X4

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.45nF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@30A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ130N10T 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ130N10T 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ130N10T

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:360W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:104nC@10V

    输入电容:5.08nF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@10V,25A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ130N10T 起订90个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ130N10T 起订90个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ130N10T

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:360W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:104nC@10V

    输入电容:5.08nF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@10V,25A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP020N06B-F102 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":79}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP020N06B-F102

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:268nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:20.93nF@30V

    连续漏极电流:313A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:127pF@30V

    导通电阻:1.65mΩ@10V,100A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ200N10T 起订90个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ200N10T 起订90个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ200N10T

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:550W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:152nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9.4nF@25V

    连续漏极电流:200A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@10V,50A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP054N10 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP054N10

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:263W

    阈值电压:4.5V@250μA

    栅极电荷:203nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13.28nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD110N8F6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STD110N8F6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD110N8F6

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:167W

    阈值电压:4.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9.13nF@40V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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