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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4805
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：30nC
输入电容：2.06nF
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
反向传输电容：300pF
导通电阻：15mΩ@9.0A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD403
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：51nC
输入电容：2.89nF
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
反向传输电容：470pF
导通电阻：8mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APM4953
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.2nC
输入电容：520pF
连续漏极电流：5.1A
类型：2个P沟道
反向传输电容：65pF
导通电阻：36mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APM4953
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.2nC
输入电容：520pF
连续漏极电流：5.1A
类型：2个P沟道
反向传输电容：65pF
导通电阻：36mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD403
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：51nC
输入电容：2.89nF
连续漏极电流：15A
类型：1个P沟道
反向传输电容：470pF
导通电阻：8mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.2nC
输入电容：520pF
连续漏极电流：5.1A
类型：2个P沟道
反向传输电容：65pF
导通电阻：36mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：36nC@4.5V
输入电容：2.694nF@10V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4805
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：30nC
输入电容：2.06nF
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
反向传输电容：300pF
导通电阻：15mΩ@9.0A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.2nC
输入电容：520pF
连续漏极电流：5.1A
类型：2个P沟道
反向传输电容：65pF
导通电阻：36mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4805
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：30nC
输入电容：2.06nF
连续漏极电流：9A
类型：2个P沟道
反向传输电容：300pF
导通电阻：15mΩ@9.0A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6576
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.044nF@10V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
规格型号(MPN)：FDS6576
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
栅极电荷：60nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
漏源电压：20V
输入电容：4.044nF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：8A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
漏源电压：20V
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
输入电容：2.694nF@10V
类型：1个P沟道
栅极电荷：36nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：5656，"MI+"：3558}
规格型号(MPN)：FDS6576
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
导通电阻：14mΩ@4.5V，11A
栅极电荷：60nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
漏源电压：20V
输入电容：4.044nF@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4803A
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：9.2nC
输入电容：520pF
连续漏极电流：5.1A
类型：2个P沟道
反向传输电容：65pF
导通电阻：36mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
