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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4606
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614-ES
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：8.5nC
输入电容：410pF
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：20mΩ@10V，6.0A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614-ES
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：8.5nC
输入电容：410pF
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：20mΩ@10V，6.0A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：850mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12.3nC@10V
输入电容：422pF@15V
连续漏极电流：3.8A€2.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：55mΩ@3.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：N和P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4606
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4606
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4606
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V，6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4606
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5.2nC
输入电容：255pF
连续漏极电流：4.6A€7.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：15mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V€30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
阈值电压：1.5V@250μA
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4614-ES
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：8.5nC
输入电容：410pF
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：20mΩ@10V，6.0A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4606
功率：2W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：5.2nC
输入电容：255pF
连续漏极电流：4.6A€7.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
反向传输电容：35pF
导通电阻：15mΩ@10V，6.0A
漏源电压：30V€30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：27.6pF@10V
连续漏极电流：500mA€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V€12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：27.6pF@10V
连续漏极电流：500mA€3.9A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@400mA，4.5V
漏源电压：25V€12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WCM2079-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1.5V@250μA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，6A€23mΩ@10V，5.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2315
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1553CDL-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：340mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：38pF@10V
连续漏极电流：700mA€500mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：390mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6322C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6321C
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道+1个P沟道
漏源电压：25V
功率：300mW
导通电阻：450mΩ@500mA，4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：500mA€410mA
输入电容：50pF@10V
栅极电荷：2.3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6332C
阈值电压：1.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道+1个P沟道
输入电容：113pF@10V
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
功率：300mW
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：700mA€600mA
栅极电荷：1.5nC@4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
