采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：8393，"22+"：22849，"23+"：104089，"MI+"：48000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6332C-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：113pF@10V
连续漏极电流：700mA€600mA
类型：N和P沟道
导通电阻：300mΩ@700mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8LDW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@25V
导通电阻：3.5Ω@10V，0.22A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
连续漏极电流：300mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
连续漏极电流：300mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
连续漏极电流：300mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138
连续漏极电流：300mA
阈值电压：1.5V@250μA
功率：300mW
导通电阻：2.5Ω@10V，500mA
类型：1个N沟道
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@25V
导通电阻：3.5Ω@10V，0.22A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：宏迦橙
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：27pF@25V
连续漏极电流：220mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：6pF@25V
导通电阻：3.5Ω@10V，0.22A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：900pC@10V
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，250mA
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：9.5pF@10V
连续漏极电流：220mA€410mA
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：4Ω@220mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5Ω@10V，220mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
输入电容：66.5pF@10V
连续漏极电流：700mA
类型：2个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，750mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
