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    阈值电压: 5V@250μA
    类型: 1个N沟道
    行业应用: 汽车
    包装方式: 管件
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N90

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

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    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

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    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

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    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

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    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N90

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    功率:85W

    阈值电压:5V@250μA

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    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

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    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N90

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    功率:85W

    阈值电压:5V@250μA

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    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

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    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

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    连续漏极电流:40A

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    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

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    功率:357W

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    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N90

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    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCH104N60F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH104N60F

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    功率:357W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:139nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5.95nF@100V

    连续漏极电流:37A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:104mΩ@10V,18.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

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    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:74nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.7nF@100V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订452个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N90 起订452个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N90

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:7.2Ω@10V,1.1A

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.9nF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:54mΩ@10V,26A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF

    栅极电荷:91nC@10V

    输入电容:2.9nF@25V

    连续漏极电流:43A

    导通电阻:54mΩ@10V,26A

    类型:1个N沟道

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+175℃

    ECCN:EAR99

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.9nF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:54mΩ@10V,26A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.9nF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:54mΩ@10V,26A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB38N20DPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB38N20DPBF

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€300W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2.9nF@25V

    连续漏极电流:43A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:54mΩ@10V,26A

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG065N60E-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):25psc

    规格型号(MPN):SIHG065N60E-GE3

    类型:1个N沟道

    功率:250W

    栅极电荷:74nC@10V

    阈值电压:5V@250μA

    输入电容:2.7nF@100V

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:65mΩ@16A,10V

    漏源电压:600V

    连续漏极电流:40A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    类型:1个N沟道

    功率:40W

    输入电容:2.5nF@100V

    连续漏极电流:34A

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4127PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB4127PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):IRFB4127PBF

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    导通电阻:20mΩ@10V,44A

    类型:1个N沟道

    功率:375W

    漏源电压:200V

    连续漏极电流:76A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订30个装
    ST Mosfet场效应管 STF43N60DM2 起订30个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STF43N60DM2

    类型:1个N沟道

    功率:40W

    输入电容:2.5nF@100V

    连续漏极电流:34A

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:93mΩ@17A,10V

    栅极电荷:56nC@10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    阈值电压:5V@250μA

    导通电阻:1.45Ω@10V,4A

    连续漏极电流:8A

    包装方式:管件

    类型:1个N沟道

    功率:225W

    ECCN:EAR99

    漏源电压:1kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订25个装
    ST Mosfet场效应管 STW38N65M5 起订25个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW38N65M5

    漏源电压:650V

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    类型:1个N沟道

    导通电阻:95mΩ@10V,15A

    连续漏极电流:30A

    ECCN:EAR99

    功率:190W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCP20N60 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP20N60 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):FCP20N60

    连续漏极电流:20A

    输入电容:3.08nF@25V

    类型:1个N沟道

    导通电阻:190mΩ@10A,10V

    栅极电荷:98nC@10V

    功率:208W

    阈值电压:5V@250μA

    包装方式:管件

    工作温度:-55℃~+150℃

    漏源电压:600V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW4N150 起订600个装
    ST Mosfet场效应管 STW4N150 起订600个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW4N150

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:1.3nF@25V

    功率:160W

    漏源电压:1.5kV

    阈值电压:5V@250μA

    导通电阻:7Ω@10V,2A

    包装方式:管件

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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